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泉州芯谷南安分園:333億半導體相關產業項目投建中


[2019-08-29] - 2581人點閱
2017年12月5日,三安光電發佈公告稱,公司與福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府簽署了《投資合作協議》,公司將在福建省泉州芯谷南安園區投資333億元從事產業化項目,全部項目五年內實現投產,七年內全部項目實現達產,經營期限不少於25年,達產後年銷售收入約270億元(按當前產品單價計算)。
三安高端半導體項目,該項目是泉州芯谷南安分園區引進的首個龍頭項目。該項目的成功將有效解決我國當前III-V 族化合物半導體核心材料、器件和應用端的技術分離難題,形成具有自主知識產權、掌握核心技術、掌握行業話語權,問鼎全球III-V 族化合物半導體行業領先地位。
項目具體包括七大產業化項目:高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發與製造產業化項目;高端砷化鎵LED 外延、芯片的研發與製造產業化項目;大功率氮化鎵激光器的研發與製造產業化項目;光通訊器件的研發與製造產業化項目;射頻、濾波器的研發與製造產業化項目;功率型半導體(電力電子)的研發與製造產業化項目;特種襯底材料研發與製造、特種封裝產品應用研發與製造產業化項目。
三安表示,該投資項目屬於國家著力打造的新興戰略性產業,具有節能環保等特點。同時,公司將藉此延伸產業鏈,有利於進一步擴大公司產能。
高達333億元的擴產計劃是三安投資的又一大手筆。三安表示,將加快泉州三安半導體項目建設,儘早投產,快速導入新產品,提高盈利能力,確保利潤穩步增長。 2022年項目建成後,三安光電將實現在半導體化合物高端領域的全產業鏈佈局,公司的高新技術及生產規模邁入國際先進行列。 (來源三安光電公告)


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